半導体製造ラインにおけるシリコンウェハの洗浄、液晶製造ラインにおけるガラス基板の洗浄等に使用される超純水を加熱する装置
特長
本装置は半導体製造ラインにおけるシリコンウェハの洗浄、液晶製造ラインにおけるガラス基板の洗浄等に使用される超純水を加熱する装置です。加熱部は高品質の石英ガラスで2重に覆れたハ口ゲンランプで構成されているため、不純物汚染のない、高効率の超純水加熱装置です。また、特にコンパクト・スリムな設計ですのでユースポイントの設置場所を最小限にできます。
クリーン
加熱部の容器は石英ガラス、配部管は フッ素樹脂。
コンパクト
設置面積を取らない薄型でコンパクト。
高性能温調
高出力ハロゲンランプによる優れた昇温立ち上がり特性と流量変化にも対応する温調。
高効率
加熱効率95%以上。
安全
過昇温・空焚き・漏水等に対する安全機能及び警報機能により安全性に対応
用途
- シリコンウェハーの洗浄。
- 液晶用ガラス基板の洗浄。
- その他のフロン系洗浄に代わる温純水洗浄。
概略仕様
| 型式 | PWH-24i | PWH-48i | PWH-72i | PWH-96i | PWH-144i | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 加熱方式 | 近赤外線光による放射加熱方式 | |||||
| 性能 | ヒータ電力量 | 24kW | 48kW | 72kW | 96kW | 144kW |
| 標準流量 （55℃昇温時） |
6L/min | 12L/min | 18L/min | 24L/min | 36L/min | |
| 最小加熱流量 | 2L/min | 5L/min | ||||
| 設定温度範囲 | 25～85℃ | |||||
| 温度制御精度 | ±1℃ ※１ | |||||
| 構成 | 流量表示範囲 | 0～10L/min | 0～50L/min（温度制御精度を保証する範囲ではありません） | |||
| 純水供給許容圧力 | 0.4MPa（リリーフ圧0.35Pa） | |||||
| ヒータ | ハロゲンランプ、液に直接触れない間接加熱方式 | |||||
| 加熱部容器材質 | 高純度透明石英 | |||||
| 器具・ 配管接液材質 |
フッ素樹脂 | |||||
| 安全機能 | 流量異常、過昇温、空焚き、液漏れ、センサ断線、ランプ断線等、 検出時出力停止、警報・表示、警報を接点出力 |
|||||
| 外部通信機能 | RS-232C/RS-485（オプション）同時選択はできません ※２ | |||||
| 外部入出力機能 | 8-入力／14-出力信号（個別仕様により、異なる場合があります） | |||||
| その他 | 外形寸法(mm)※３ | W340×D850 ×H1384 |
W340×D850 ×H1384 |
W340×D850 ×H1584 |
W340×D850 ×H1986 |
W1050×D700 ×H2004 |
| 重量 | 約140kg | 約150kg | 約160kg | 約210kg | 約410kg | |
| 電源(50/60Hz) （3相3栓） |
AC200/208V 共用 69/67A |
AC200/208V 共用139/133A |
AC200/208V 共用 208/200A |
AC200/208V 共用 277/266A |
AC200/208V 共用 416/400A |
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※1 条件により異なります。
※2 別途ご相談ください。
※3 突起部は含みません。
